特許
J-GLOBAL ID：200903005338680411
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-063621
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267312
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】本発明は、二層ポリシリコン・セルフアライン構造のバイポーラトランジスタを有する半導体装置に関し、ベース層に形成される接合容量を低減してトランジスタを高速動作させることを目的とする。【構成】第一導電型のコレクタ層3の上層部に形成された第二導電型の真性ベース層9と、前記真性ベース層9の側部に隣接して形成された第二導電型の外部ベース層10と、前記真性ベース層9の下に接合し、前記外部ベース層10に到達しない範囲に形成され、かつ、前記コレクタ層3よりも高不純物濃度に形成された第一導電型不純物層14と、前記真性ベース層9の上層部に形成された第一導電型のエミッタ層13とを含み構成する。
請求項（抜粋）：
第一導電型のコレクタ層(3)の上層部に形成された第二導電型の真性ベース層(9)と、前記真性ベース層(9)の側部に隣接して形成された第二導電型の外部ベース層(10)と、前記真性ベース層(9)の下に接合し、前記外部ベース層(10)に到達しない範囲に形成され、かつ、前記コレクタ層(3)よりも高不純物濃度に形成された第一導電型不純物層(14)と、前記真性ベース層(9)の上層部に形成された第一導電型のエミッタ層(13)とから構成されるバイポーラトランジスタを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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