特許
J-GLOBAL ID:200903005344643072

表面処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-097426
公開番号(公開出願番号):特開平11-293011
出願日: 1998年04月09日
公開日(公表日): 1999年10月26日
要約:
【要約】【課題】 放電を安定させ、支持体のダメージを抑え、効率よく放電処理を施す(第1課題)、また、放電処理の効率化を図り、改質レベルが高い表面処理を行う(第2課題)。【解決手段】 電極8、9間を連続搬送されている支持体5の表面を処理室2内で放電処理する表面処理方法において、前記処理室2内に導入する不活性ガスを、流量Q(m3/min[1atm])で導入するとともに、Q/(d・We)≧10(ただし、dは、電極8、9間のギャップ(m)、Weは、電極8、9の幅(m)である。)の条件を満足することを特徴とする表面処理方法。また、Q/(Wb・LS)≧0.83×10-3(ただし、Wbは、連続搬送されている支持体5の幅(m)、LSは、連続搬送されている支持体5の搬送速度(m/min)である。)の条件を満足することを特徴とする表面処理方法。
請求項(抜粋):
連続搬送されている支持体の表面を処理室内の電極間で放電処理する表面処理方法において、前記処理室内に不活性ガス(流量Q(m3/min[1atm]))を含む混合ガスを導入する際、Q/(d・We)≧10(ただし、dは、電極間のギャップ(m)、Weは、電極の幅(m)である。)の条件を満足することを特徴とする表面処理方法。
IPC (4件):
C08J 7/00 303 ,  C08J 7/00 CED ,  C08J 7/00 CES ,  B01J 19/08
FI (4件):
C08J 7/00 303 ,  C08J 7/00 CED ,  C08J 7/00 CES ,  B01J 19/08 C

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