特許

J-GLOBAL ID：200903005352605228

集積回路装置の製造方法

発明者： ジョン・ハワード・ギブンズ ,  ジェームス・スパイロス・ネイコス ,  ピーター・オースチン・バーク ,  クレイグ・マーシャル・ヒル ,  チャン・ホン・ラム
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-310185
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216378
出願日： 1993年12月10日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】 集積回路装置のゲートのシート抵抗を改善する製造方法。【構成】 パッシベーション層30はシリサイド化を利用して、通常の製造方法で集積回路装置のうえに堆積され、その後絶縁層32が堆積される。その絶縁層は平坦化され、ゲート18の上のパッシベーション層を露出するように更に研磨される。ゲートの上のパッシベーション層の部分は絶縁層あるいはゲートに殆ど影響を与えないように除去される。片方あるいは両方の接合部14、16の上のトレンチ41はパッシベーション層をエッチング・ストップとして利用して絶縁層を除去することにより形成され、そして接合部あるいは分離領域42にも殆ど影響を与えないで、接合部の上のパッシベーション層の部分が除去される。ゲートは更にシリサイド化されてよく、そしてゲートの上の開口部と接合部の上のトレンチは接触を形成するように、低シート抵抗の導電性材料38でそれぞれ平坦に充填されてよい。接合部の上の接触は無境界でよい。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の上に集積回路装置のゲートを製造する間に、シート抵抗を改良するための方法であり、前記集積回路装置は、少なくとも二つの接合部と、前記ゲートおよび前記接合部のそれぞれの間のスペーサと、前記ゲートおよび前記基板の間の薄い絶縁層とを有している集積回路の構造から成り、前記接合部は前もってシリサイド化されており、前記方法は、前記集積回路の構造の上にパッシベーション層を堆積し、前記パッシベーション層の上に絶縁層を堆積し、前記絶縁層を平坦化し、前記ゲートの上の前記パッシベーション層を露出するように、前記の平坦化された絶縁層を平坦に除去し、前記ゲートの上部が露出するように、前記絶縁層および前記ゲートに対して選別的に、前記ゲートの上の前記パッシベーション層を除去し、前記パッシベーション層に対し選択的に、少なくとも片方の接合部の上で、前記絶縁層の中にトレンチを形成し、前記パッシベーション層を通し、少なくとも片方の前記接合部に対し選択的に前記トレンチを延在し、前記ゲートの上の前記露出部分を、第一の低シート抵抗の導電性材料で平坦に充填することにより、第一の接触を形成し、そして、少なくとも片方の前記接合部の上の、前記延在された前記トレンチを、第二の低シート抵抗の導電性材料で平坦に充填することにより、第二の接触を形成することを特徴とする集積回路装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 Y