半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-033791
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314850
出願日： 1994年03月03日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】【目的】キンク光出力が大きく、低発振しきい値電流でレーザ発振を可能とする利得ガイド形態レーザを提供すること。【構成】半導体基板上に形成したダブルヘテロ接合構造部に電流狭窄のためのn型電流阻止層を有した利得ガイド型半導体レーザにおいて、Zn不純物を添加したp型半導体層に隣接したn型電流阻止層のn型不純物濃度が3×1018cm-3以上であることを特徴とする半導体レーザ。【効果】n+ -GaAs電流阻止層にZn拡散によるp型反転層が形成されないため、従来の半導体レーザに比べて発振しきい値電流が10mA低減でき、キンク光出力が約2倍増大できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にダブルヘテロ接合構造部を備え、このダブルヘテロ接合構造部に電流狭窄のためのn型電流阻止層を有した利得ガイド型半導体レーザにおいて、p型半導体層に隣接したn型電流阻止層のn型不純物濃度が3×1018cm-3以上であることを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-309281
特開昭62-042415
特開昭62-186582

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