特許

J-GLOBAL ID：200903005356871011

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 藤井 謙一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 武田 元敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-242973
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106585
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】 自己整合薄膜トランジスタの製造工程を短縮してコスト低減およびコンタクト特性の向上を図る。【構成】 薄膜トランジスタの上部保護絶縁膜15をゲート電極12により自己整合的にパターン化する工程の後、半導体層14の薄膜上にのみ金属またはシリサイドを選択的に成長させて、寄生容量の小さい薄膜トランジスタを実現する。

請求項（抜粋）：

ゲート電極,ゲート絶縁膜,半導体層、および上部保護絶縁膜を有する薄膜トランジスタの、前記上部保護絶縁膜をゲート電極により自己整合的にパターン化する工程と、前記半導体層の薄膜上にのみ金属またはシリサイドを選択的に成長させる工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/40

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-205664
  
• 特開昭61-156885
  
• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-261423   出願人：株式会社東芝