特許

J-GLOBAL ID：200903005361482457

レティクル及びレティクル・ブランク

発明者： ジャイアン・ティ・ダオ
出願人/特許権者： インテル・コーポレーション
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-243589
公開番号（公開出願番号）：特開平6-266095
出願日： 1993年09月06日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 減衰性位相シフト型レティクルのクロムの薄層の不均一から生じる欠点を除去する。【構成】 このレティクル20には、形成すべき図形部分以外の領域において、副次解像度パターン22が設けられている。この副次解像度パターン22によって、実質的に均一であり、且つ減衰された強度の放射光が透過する。上記図形部分によって、この副次解像度パターン22に対して位相偏移が以下のように行われる。即ち、これら図形部分を通過した光の位相を、これら図形部分を包囲する副次解像度パターン22を通過し、減衰された放射光の位相に対して、約180 ゚偏移する。

請求項（抜粋）：

リソグラフィプリンタによって、放射光感光層をパターン化するためのレティクルを製造する時に使用されるレティクル・ブランクにおいて、このブランクには、図形部分のパターンを有する領域が設けられ、これらの図形部分のサイズを前記リソグラフィプリンタの解像度より小さくし、且つ、前記領域によって、それに入射した放射光の減衰された放射光部分を通過させるようにしたことを特徴とするレティクル・ブランク。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/30

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-136854
  
• 特開昭63-304257
  
• 特開昭57-121226
  
• 特開昭62-276552