特許

J-GLOBAL ID：200903005362437668

半導体装置の製造方法

発明者： 服部 圭 ,  吉田 幸正
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-330416
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172022
出願日： 1995年12月19日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】本発明は、反射防止膜を残したままでAl膜を加工する場合において、酸化膜中における鬆の発生を防止でき、デバイスの信頼性が劣化されるのを抑えることができるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、半導体基板11上にAl膜15を形成する工程と、上記Al膜15上に反射防止膜16を形成する工程と、上記反射防止膜16上に、フォトレジスト膜17によるマスクパターンを形成する工程と、上記マスクにしたがって、ドライエッチング法により反射防止膜16とともにAl膜15を加工する工程と、上記Al膜15の加工後に、ドライエッチング法またはスパッタリング法により上記反射防止膜16の端部を上記Al膜15の上端部より後退させる工程とからなり、これに引き続き、上記レジスト膜17を除去した後、反射防止膜16上を含んでAl膜15上に酸化膜を形成するようになっている。

請求項（抜粋）：

金属薄膜上に保護膜を介してマスクを形成し、このマスクにしたがって前記金属薄膜を加工する半導体装置の製造方法において、前記金属薄膜の加工後に、前記保護膜の端部を前記金属薄膜の上端部より後退させる工程を設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/88 D ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/30 574 ,  H01L 21/88 N