特許
J-GLOBAL ID：200903005363350590
プラズマCVD法及び装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-030467
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283154
出願日： 1995年02月20日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】危険なガスを用いることなく、また膜質を悪化を招く高温成膜を避けてa-Si膜や窒化シリコン膜等のSi化合物膜や、窒化チタン等のチタン(Ti)化合物膜等を安全に形成することができ、しかも膜質を悪化させるパーティクルの発生を抑制すると共に成膜速度を著しく低下させることなく、或いは向上させて成膜することができるプラズマCVD法及び装置を提供する。【構成】成膜用原料ガスのプラズマのもとで被成膜基体上に膜形成を行うにあたり、原料ガスとしてハロゲン化合物ガス、又はハロゲン化合物ガス及びこれと共に異種原料ガスを用い、原料ガスのプラズマ化を、10MHzから200MHzの基本高周波電力にこの周波数の10000分の1から10分の1の周波数で第1の振幅変調を、さらにこの変調周波数の100倍未満で100分の1より大きい変調周波数で第2の振幅変調を施した状態の高周波電力の印加により行う。
請求項（抜粋）：
成膜用原料ガスを高周波電力印加によりプラズマ化し、このプラズマに被成膜基体を曝して該基体上に膜形成を行うプラズマCVD法において、前記原料ガスとして所定の膜を形成するためのハロゲン化合物ガス、又はハロゲン化合物ガス及びこれと共に所定の膜を形成するための該ハロゲン化合物ガスとは異なる種類のガスを用い、該原料ガスのプラズマ化を、10MHzから200MHzの範囲の所定周波数の基本高周波電力に該所定周波数の10000分の1から10分の1の範囲の変調周波数で振幅変調を施した状態の高周波電力を印加することで行うプラズマCVD法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 21/31
