特許

J-GLOBAL ID：200903005366246638

GaN堆積ウエーハ及び光半導体装置

発明者： 堀野 和彦
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-342456
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186404
出願日： 1995年12月28日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】 化学的研磨が容易で,また劈開による加工が可能なGaN薄膜堆積用基板を提供する。【解決手段】 AlN単結晶を基板1としてGaN系薄膜を堆積する。とくに(0001)面又は(1120)面を主面として主面に垂直な劈開を有する基板とする。

請求項（抜粋）：

AlN単結晶からなる基板と,該基板上に堆積された,GaN又はGaN混晶からなる薄膜とを有するGaN堆積ウエーハ。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/301 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/78 U