特許
J-GLOBAL ID：200903005367076531
炭化けい素電子デバイスの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-240769
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099169
出願日： 1993年09月28日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【目的】n形SiC基体にオーム性電極としてNi電極を形成するときに、高温の熱処理を必要とせず、電極表面に導線ボンディングの支障になるグラファイトの析出がないようにする。【構成】SiC基体1上にNiとSiの同時蒸着によりNi-Si合金層2を形成するか、Si層、Ni層の順に蒸着したあと、700 °C以下の低温で熱処理すればNiSi2 ができ、基体と良好なオーム性接触を示す。そして、電極表面のグラファイト析出もない。
請求項（抜粋）：
n形炭化けい素基体上にニッケル組成が33〜67原子%のニッケル・けい素合金層を形成後、熱処理を施して炭化けい素基体上にオーム性電極を形成することを特徴とする炭化けい素電子デバイスの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 29/43
