特許

J-GLOBAL ID：200903005375618580

半導体装置の拡散障壁膜の形成方法

発明者： チュエー キョングン
出願人/特許権者： ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリイズ カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 長谷 照一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-123722
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316321
出願日： 1996年05月17日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の製造において、シリコン層と接続される金属配線の形成時に配線物質がシリコン層へ拡散されることを防止するための拡散障壁金属層を形成する。【解決手段】 シリコン層と拡散障壁金属層の界面のシリサイド化を防止するためにシリコン層の表面を酸素プラズマに露出させる第1段階と、上記酸素プラズマにより露出されたシリコン層の上に第1拡散障壁金属層を形成する第2段階と、上記第1拡散障壁金属層の上部に酸素をイオン注入する第3段階と、酸素が注入された上記拡散障壁金属層の上に第2拡散障壁金属層を形成する第4段階とを行う。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造において、シリコン層と接続される金属配線の形成時に配線物質がシリコン層へ拡散されることを防止するための拡散障壁金属層の形成方法であって、シリコン層と拡散障壁金属層の界面のシリサイド化を防止するためにシリコン層の表面を酸素プラズマに露出させる第1段階と、上記酸素プラズマにより露出されたシリコン層の上に第1拡散障壁金属層を形成する第2段階と、上記第1拡散障壁金属層の上部に酸素をイオン注入する第3段階と、酸素が注入された上記拡散障壁金属層の上に第2拡散障壁金属層を形成する第4段階とを含んでなることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 X