特許

J-GLOBAL ID：200903005376776163

歪量子井戸半導体レーザ

発明者： 佐川 みすず ,  魚見 和久 ,  平本 清久 ,  辻 伸二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立電線株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-070599
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275801
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 光通信システムにおける希土類添加光ファイバ増幅器の励起用光源として、高出力、高信頼性を有し、光ファイバと高効率で光結合する0.98μm帯半導体レーザを実現することを目的とする。【構成】 GaAs基板1上にInGaAs歪量子井戸活性層4とInGaPにより構成されるn-クラッド層2及びp-クラッド層4を有する歪量子井戸半導体レーザにおいてリッジを形成し、ストライプ領域内のみにクラッド層中にGaAs光導波層を有する構造とする。また、上記リッジ部は再成長によりInGaP電流狭窄層9を有する層を成長させることにより活性層水平方向屈折率導波構造を形成する。【効果】 本発明により、高出力まで安定なモードで動作する歪量子井戸半導体レーザが得られる。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に少なくとも光を発生するInGaAs歪量子井戸層を有する活性層と光を閉じ込めるInGaAsPまたはInGaPにより構成されるクラッド層を有する歪量子井戸半導体レーザにおいて、前記GaAs基板と反対側のクラッド層をストライプ領域の外側の部分のみ活性層に達しないようにエッチングすることによりリッジを形成し、前記リッジ部に再成長によりInGaP層を有する層を成長させることにより形成されることを特徴とする歪量子井戸半導体レーザ。