特許
J-GLOBAL ID：200903005377250300
高電子移動度トランジスタ
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
板谷 康夫
, 田口 勝美
, 水田 愼一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-168267
公開番号（公開出願番号）：特開2007-335768
出願日： 2006年06月19日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：
【課題】高電子移動度トランジスタにおいて、ドレイン-ソース間抵抗を小さくし、電力の損失を抑える。【解決手段】トランジスタ21は、GaN層2と、その上に形成されたAlGaN層3と、ソース電極5、ドレイン電極6、ゲート電極7とを備えている。AlGaN層3は、アンドープのu-AlGaN層3aと、ソース電極5及びドレイン電極6に接触する部位にu-AlGaN層3aの厚みより薄くなるように形成され、キャリアを高濃度に含む高濃度AlGaN層23bを有している。高濃度AlGaN層23bはキャリアの濃度が高く厚みが薄いので、ドレイン電極6からソース電極5までの電流経路のうち、高濃度AlGaN層23bの厚み方向の抵抗と、高濃度AlGaN層23bとGaN層2に発生する2次元電子ガス8との間の抵抗と、高濃度AlGaN層23bと各電極5,6とのコンタクト抵抗が小さく、ドレイン-ソース間抵抗が小さくなる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
GaN(窒化ガリウム)層と、
このGaN層の上部に設けられ、ソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極がそれぞれ接続されているAlGaN(窒化アルミニウムガリウム)層とを有し、
前記GaN層と前記AlGaN層の界面近傍に発生する2次元電子ガス(2 Dimensional Electron Gas : 2DEG)を、前記ソース電極とドレイン電極との間を流れる電流の経路とする高電子移動度トランジスタにおいて、
前記AlGaN層のうち、前記ソース電極及びドレイン電極とそれぞれ接触する部位に、前記GaN層に接するように、キャリアの濃度がそのAlGaN層のうち他の部位よりも高い高濃度AlGaN層が形成されていることを特徴とする高電子移動度トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
5F102FA03
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ02
, 5F102GJ10
, 5F102GL04
, 5F102GL15
, 5F102GM04
, 5F102GM09
, 5F102GQ01
, 5F102GR07
