特許

J-GLOBAL ID：200903005378907087

エッチング終点検出方法

発明者： 竹中 伸之 ,  和田 昌久
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-025162
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244150
出願日： 1993年02月15日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】 水素を含まないシリコン酸化膜と水素を含まないシリコン酸化膜とを積層し、積層した膜の一方をエッチングする場合に、エッチングの終点を正確に検出する。【構成】 プラズマ中の水素原子の発光を観測し、上記水素原子の発光強度の変化に基づいてエッチングの終点を検出する。特に、水素原子の波長656nm,486nmまたは434nmのスペクトルを観測する。図2は、プラズマSiO膜(水素を含まない)の上にSOG膜(水素をふくむ)を堆積し、SOG膜をエッチングしたときの波長656nmの強度変化を例示している。

請求項（抜粋）：

水素を含まないシリコン酸化膜と水素を含むシリコン酸化膜とを積層し、積層した膜の一方をプラズマを用いてエッチングする場合に、エッチングの終点を検出するエッチング終点検出方法において、上記プラズマ中の水素原子の発光を観測し、上記水素原子の発光強度の変化に基づいてエッチングの終点を検出することを特徴とするエッチング終点検出方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-177022
  
• 特開平4-162522
  
• 特開昭61-144447