特許

J-GLOBAL ID：200903005379450188

半導体面発光レーザの製造方法

発明者： 栗原 香 ,  浜尾 昇 ,  杉本 満則
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-000637
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112578
出願日： 1991年01月08日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】面発光レーザなどに用いられる半導体多層反射膜は、反射率を上げるためバンドギャップの大きく異なる2つの物質(例GaAsとAlAs)が使われる。このためヘテロ接合部においてバンドスパイクが生じ、抵抗の増大を招く。ここでの反射率を下げずに、抵抗の低減をはかる。【構成】図1のような基板において850°C15分程度の熱処理により半導体多層反射膜4,10のGaAsとAlAsの界面に相互拡散を生じさせ部分的にグレーデッド化させる。抵抗低減には10オングストローム程度のグレーデッド化で効果があり、しかも光の波長よりは十分小さいので反射率は低下しない。

請求項（抜粋）：

発光に与る活性層をクラッド層で挟んだダブルヘテロ接合構造を、屈折率の異なる2種類の半導体を目的とする波長の4分の1の厚さで交互に成長させた多層反射膜で挟んだ積層構造体を形成する結晶成長工程と、前記積層構造体を熱処理する工程と、電極を形成する工程と、ドライエッチングを用いて前記積層構造体を円柱状に加工する工程とを少くとも備えたことを特徴とする半導体面発光レーザの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-302085
  
• 特開平1-142710
  
• 特開昭61-168285