特許
J-GLOBAL ID：200903005379542244
一括消去型不揮発性メモリおよびそれを用いる半導体ディスク装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-035228
公開番号（公開出願番号）：特開平6-250798
出願日： 1993年02月24日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】重ね書きの手法を用いなくても無効セクタと有効セクタとを見分けることが可能な一括消去型不揮発性メモリ及びそれを用いた半導体ディスク装置を提供すること。【構成】一括消去型不揮発性メモリは、クラスタ単位で消去することが可能であり、N個のクラスタの各々にクラスタ情報セクタが確保され、予めN個のクラスタに対して重複がないように順序番号が与えられ、各クラスタのクラスタ情報セクタに当該クラスタに割り当てられた順序番号が書き込まれている。コントローラは、所与のクラスタを消去するとき、先に当該クラスタの順序番号を保管する。そして、所与の消去済みクラスタを初期設定するときには、現在の最大順序番号よりも大きな値を当該クラスタの順序番号としてそのクラスタ情報セクタに書き込む。このようにして初期設定されたクラスタのクラスタ情報セクタ以外のセクタに対して、コントローラは、それらセクタの物理アドレスの順番に従ってユーザ・データを書き込む。
請求項（抜粋）：
各々がM個のセクタからなるN個のクラスタを有し(M、Nは各々2以上の整数)、クラスタ単位で消去することが可能であり、上記N個のクラスタの各々にクラスタ情報セクタが確保され、上記N個のクラスタに対して重複がないように順序番号が与えられ、各クラスタのクラスタ情報セクタに当該クラスタに割り当てられた順序番号が書き込まれていることを特徴とする一括消去型不揮発性メモリ。
IPC (2件)：
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