特許

J-GLOBAL ID：200903005380295170

CMOSイメージセンサー

発明者： クワン-ヒュン リー ,  エウイシック ユーン
出願人/特許権者： コリア・アドヴァンスド・インスティテュート・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー
代理人 (1件)： ▲吉▼川 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-264783
公開番号（公開出願番号）：特開2005-094762
出願日： 2004年09月13日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：

【課題】CMOSイメージセンサーの提供。【解決手段】CMOSイメージセンサーのリセット動作時に発生するリセット雑音、検出回路の特性差により発生する固定パターン雑音、及び以前の映像信号の強度が出力信号に影響を与えるイメージラグなどをリセット電圧を制御することによって減少させ、高い信号対雑音比を得ることができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板上にCMOS工程により形成されるフォトダイオードと、フォトダイオードに蓄積された光電荷を除去するためのリセットスイッチと、フォトダイオードに蓄積された光電荷による出力電圧を検出する増幅端と、増幅端で検出された電圧を出力するための選択スイッチと、を含めてなるCMOSイメージセンサーであって、 フォトダイオードノードの電圧を一定に減少させるための電流源と、 前記増幅端の出力を参照電圧と比較し、前記電流源を制御して前記フォトダイオードをリセットさせる比較器と、 前記参照電圧のデジタル値を格納するメモリと、 をさらに含めてなることを特徴とするCMOSイメージセンサー。

IPC (2件)：

H04N5/335 ,  H01L27/146

FI (3件)：

H04N5/335 E ,  H04N5/335 P ,  H01L27/14 A

Fターム (25件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118DD09 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  5C024CX04 ,  5C024CX05 ,  5C024CX17 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GX18 ,  5C024GY31 ,  5C024GZ01 ,  5C024HX02 ,  5C024HX17 ,  5C024HX23 ,  5C024HX29 ,  5C024HX35 ,  5C024HX40 ,  5C024HX41 ,  5C024HX48 ,  5C024HX50 ,  5C024HX55

引用特許：

審査官引用 (4件)

• キャパシタレス相関二重サンプリング方式のアクティブ画素センサ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-550264   出願人：コネクサントシステムズ,インコーポレーテッド
• 増幅型固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-082703   出願人：ソニー株式会社
• アナログ-デジタル変換器及びこれを用いたイメージセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-026478   出願人：有限会社リニアセル・デザイン
• 固体撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-075216   出願人：富士ゼロックス株式会社