特許

J-GLOBAL ID：200903005385098658

半導体装置の製造方法

発明者： 杉本 茂樹 ,  奥村 勝弥
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-067130
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275367
出願日： 1992年03月25日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 この発明は、セルフアライン-コンタクト技術に準ずる方法で、配線層相互間の絶縁性が良好となるコンタクト孔を形成できる半導体装置の製造方法を提供しようとするものである。【構成】 第1の導電膜(14)上に障壁層(16,18) を形成し、障壁層(16,18) および導電膜(14)を一括してパタ-ニングし、第1の配線層パタ-ン(22)を形成する。次いで、配線層パタ-ン(22)を覆うように絶縁膜(28)を形成する。次に半導体基板(10)に到達する開口部(34)を、障壁層(16,18) をエッチングの障壁に用いて形成する。次に開口部(34)の側壁上にサイドウォ-ル(38A) を形成する。次に開口部を(34)介して基板(10)にコンタクトされる第2の配線層(40)を形成するようにしている。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面上に、第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に、第1の導電膜を形成する工程と、前記第1の導電膜上に、障壁層を形成する工程と、前記障壁層および第1の導電膜を一括してパタ-ニングし、第1の配線層パタ-ンを形成する工程と、前記第1の配線層パタ-ンを覆うように前記基板の表面上方に、第2の絶縁膜を形成する工程と、前記半導体基板に到達する開口部を、前記障壁層をエッチングの障壁に用いて前記第1、第2の絶縁膜を貫通させて形成する工程と、前記開口部の側壁上に、第3の絶縁膜で成るサイドウォ-ルを形成する工程と、前記開口部を介して前記基板にコンタクトされる第2の配線層パタ-ンを形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭54-055384
  
• 特開平4-014226
  
• 特開平4-014226
  
• 特開平3-016171