特許

J-GLOBAL ID：200903005385141774

窒素ドープした低欠陥シリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法

発明者： 飯田 誠 ,  玉塚 正郎 ,  木村 雅規 ,  村岡 正三
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-172274
公開番号（公開出願番号）：特開平11-349394
出願日： 1998年06月04日
公開日（公表日）： 1999年12月21日
要約：

【要約】【課題】 高速下に制御幅が広く、制御し易い製造条件の下で、結晶の全面または一部の領域に格子間シリコンが過剰に存在するが、全面に亙って極低欠陥密度で、特に転位クラスターを排除したCZ法によるシリコン単結晶ウエーハを高生産性を維持して製造する。【解決手段】 CZ法によって育成されたシリコン単結晶ウエーハを育成する際に、窒素をドープしながら結晶全面あるいは一部の領域で格子間シリコンが過剰となる条件、および空孔型欠陥が生じない条件で引上げることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの製造方法。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶ウエーハであって、結晶全面あるいは一部の領域に格子間シリコンが過剰に存在するが、転位クラスターが排除されていることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ。

IPC (4件)：

C30B 15/04 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/322

FI (4件)：

C30B 15/04 ,  C30B 29/06 502 G ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/322 Y