特許

J-GLOBAL ID：200903005386634774

半導体装置及びその製造方法並びにその製造装置

発明者： 堀内 整 ,  小熊 広志 ,  舘 宏 ,  坪井 敏宏 ,  三輪 孝志 ,  白井 優之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-303984
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148353
出願日： 1995年11月22日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】 キャビティダウン方式でLSIを組み立てる場合、パッケージを樹脂封止するにあたり、キャビティ内における気泡の発生を防止することが可能な技術を提供する。【解決手段】 半導体チップ6の裏面を取り付けている放熱板3に樹脂注入用貫通穴11を設けて、この樹脂注入用貫通穴11を通じて注入された樹脂12を半導体チップ6が配置されているキャビティ1内に充填してパッケージ5を封止する。これにより、樹脂12をキャビティ1内に注入するとき、樹脂12はボンディングワイヤ10の裏側である放熱板3の樹脂注入用貫通穴11から注入されてキャビティ1内に充填されるので、半導体チップ6の周囲にボンディングワイヤ10が密集していても、これらボンディングワイヤ10の裏側に樹脂12は十分に充填されるようになる。従って、各ボンディングワイヤ10の裏側に気泡は発生しないので、LSIの組立終了後に温度サイクルなどの熱ストレスが加っても、何ら問題は生じない。

請求項（抜粋）：

キャビティを有する配線基板と放熱板とを一体化してパッケージを構成し、前記キャビティ内に裏面を前記放熱板に取り付けた半導体チップを配置するとともに、半導体チップの表面と前記配線基板との間にワイヤをボンディングした半導体装置であって、前記放熱板に樹脂注入用貫通穴を設け、この樹脂注入用貫通穴を通じて注入された樹脂をキャビティ内に充填して前記パッケージを封止したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/56 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/36

FI (4件)：

H01L 21/56 T ,  H01L 21/56 E ,  H01L 23/12 P ,  H01L 23/36 D