成膜装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-022907
公開番号（公開出願番号）：特開2001-214258
出願日： 2000年01月31日
公開日（公表日）： 2001年08月07日
要約：

【要約】【課題】磁場発生手段の荷電粒子輸送効率を改善して、薄膜の堆積速度を向上する成膜装置を提供する。【解決手段】高真空に保つことができるハウジング2を有する成膜装置1において、トロイダルコイル8のみを用いてプラズマ源3より放出された荷電粒子を磁気軸7に沿って材料保持手段5により支持された被成膜材料4の成膜面4aに輸送する場合、磁束密度の勾配を端緒とするベクトル積E×Bドリフトにより、荷電粒子は磁力線から逃げ、荷電粒子輸送効率が低下する。ポロイダルコイル9を付加的に配設することで、ヘリカル磁場を発生させることができ、これにより、ベクトル積E×Bドリフトが防止される。

請求項（抜粋）：

ハウジングと、このハウジング中に被成膜材料を位置させるように支持する材料支持手段と、前記ハウジング中に被成膜材料と離れて配置され、荷電粒子を放出する荷電粒子放出手段と、前記材料支持手段と前記荷電粒子放出手段との間にて湾曲して延びる磁力線を形成し、この磁力線に沿って前記荷電粒子放出手段から前記被成膜材料へ荷電粒子を導くためのトロイダル磁場を発生させる第1の磁場発生手段と、前記トロイダル磁場により形成される磁力線に垂直で、この磁力線を囲む磁力線を形成し、荷電粒子が、前記トロイダル磁場により形成される磁力線に垂直な速度成分をもち、前記トロイダル磁場により形成される磁力線から逃げることを防止するためのポロイダル磁場を発生させる第2の磁場発生手段と、を有することを特徴とする、成膜装置。

IPC (5件)：

C23C 14/24 , H01J 29/76 , H01L 21/285 , H05H 1/10 , H05H 1/46

FI (5件)：

C23C 14/24 F , H01J 29/76 D , H01L 21/285 S , H05H 1/10 , H05H 1/46 A

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