特許
J-GLOBAL ID：200903005393902440

気相成長装置および気相成長方法

発明者：
清水 一寿

清水 一寿 について

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釆山 和弘

釆山 和弘 について

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坂上 英和

坂上 英和 について

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田中 伸昌

田中 伸昌 について

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岡田 俊範

岡田 俊範 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-159024
公開番号（公開出願番号）：特開2008-311507
出願日： 2007年06月15日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：
【課題】複数の基板に対して均一な特性の薄膜が形成される気相成長装置および気相成長方法、を提供する。【解決手段】気相成長装置10は、反応室11と、反応室11に設置されるサセプタ22と、複数種類のガスを導入するガス導入管13とを備える。サセプタ22は、複数の基板25を保持する周辺部と、周辺部に取り囲まれた中心部とを含む。ガス導入管13は、複数種類のガスを互いに分離して流す多重管構造を有する。ガス導入管13は、中心部22tに向けてガスを流す中間多重管16と、中間多重管16に流れるガスを方向転換させ、サセプタ22の中心部から周辺部に向かう方向に流すガス方向転換部17とを含む。ガスは、中間多重管16におけるガスの流れ方向とは異なる方向から中間多重管16に流入する。気相成長装置10は、中間多重管16に配置される整流板41をさらに備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
反応室と、 複数の基板を保持する周辺部と、前記周辺部に取り囲まれた中心部とを含み、前記反応室に設置されるサセプタと、 複数種類のガスを互いに分離して流す多重管構造を有し、前記反応室にガスを導入するガス導入管とを備え、 前記ガス導入管は、 前記中心部に向けてガスを流すガス流通部と、 前記ガス流通部に流れるガスを方向転換させ、前記中心部から前記周辺部に向かう方向に流すガス方向転換部とを含み、 ガスは、前記ガス流通部におけるガスの流れ方向とは異なる方向から前記ガス流通部に流入し、さらに、 前記ガス流通部に配置される整流部材を備える、気相成長装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/455
FI (2件)：
H01L21/205 ,  C23C16/455
Fターム (23件)：
4K030BB01 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030KA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045BB02 ,  5F045BB03 ,  5F045BB08 ,  5F045DP11 ,  5F045DP13 ,  5F045DP14 ,  5F045EE20 ,  5F045EF02 ,  5F045EF04 ,  5F045EF08 ,  5F045EF13 ,  5F045EF14 ,  5F045EF15 ,  5F045EF20 ,  5F045EM10
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 結晶成長装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-028010   出願人：スタンレー電気株式会社
  • 気相成長装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-145690   出願人：日本電気株式会社
  • 特開昭60-98618号公報
審査官引用 (3件)

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