特許

J-GLOBAL ID：200903005408597690

ポジティブフォトレジスト製造用樹脂及びこれを含有する化学増幅型ポジティブフォトレジスト組成物

発明者： パーク ジュー-ヒョン ,  キム ソン-ジュ ,  キム キー-デ ,  パーク スン-イー
出願人/特許権者： クンホセオキュホアハクジュシクヘサ
代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-251648
公開番号（公開出願番号）：特開平10-115928
出願日： 1997年09月17日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】 半導体デバイス等に使用されるポジティブフォトレジスト製造用樹脂及びこれを含有する化学増幅型ポジティブフォトレジスト組成物を提供することである。【解決手段】 本発明の樹脂は次の一般式(I)で表示される。【化1】(式中、k+1は1であり、R1 は水素原子又はメチル基であり、R2 及びR3はそれぞれ独立的に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ基であり、R4 はアセテート基、t-ブトキシカルボニル基、ベンジル基、トリアルキルシリル基又はアルキル基である。)

請求項（抜粋）：

反復単位が次の一般式(I)で表示され、ポリスチレン換算平均分子量が2,000〜1,000,000である樹脂。【化1】(式中、k+1は1であり、R1 は水素原子又はメチル基であり、R2 及びR3はそれぞれ独立的に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ基であり、R4 はアセテート基、t-ブトキシカルボニル基、ベンジル基、トリアルキルシリル基又はアルキル基である。)

IPC (4件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F 12/22 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F 12/22 ,  G03F 7/004 503 A ,  H01L 21/30 502 R