特許

J-GLOBAL ID：200903005411183928

半導体装置及びその製造方法

発明者： 五福 伊八郎
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-168419
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074169
出願日： 1993年06月16日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置のコンタクト部において、複雑な工程や、コストの増加のない構造及び方法により、低融点金属の拡散を抑制し、素子特性の劣化がない半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 半導体装置のコンタクト部において、上層に少なくとも低融点金属を含む金属または金属シリサイド113、下層にp型不純物を含むIV族多結晶半導体材料111を配した構成よりなり、前記IV族多結晶半導体材料層111への不純物注入工程が、ゲルマニウム、錫、燐、砒素、アンチモン、ガリウム、インジウムの内の少なくとも一元素を注入する第1の注入工程と、該元素の注入後にp型の不純物を注入する第2の注入工程との2工程によって行なわれることを特徴とする半導体装置の製造方法、及びそれによる半導体装置。

請求項（抜粋）：

半導体領域と、該半導体部に被着された絶縁膜と、該絶縁膜に形成された開口部を介して該半導体領域に接続される配線部とからなる半導体装置において、前記配線部は、上層に少なくとも低融点金属を含む金属または金属シリサイド、下層にp型不純物を含むIV族多結晶半導体材料を配した構成よりなり、かつ該IV族多結晶半導体材料層に、ゲルマニウム、錫、燐、砒素、アンチモン、ガリウム、インジウムの内少なくとも一元素が注入されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/88 A ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 21/90 C