特許
J-GLOBAL ID：200903005412124232
半導体ウェハの処理方法及び半導体ウェハ・キャリアの 立替え機
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-055468
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250458
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【目的】n枚のウェハを収納することのできるウェット処理用キャリア1を置く移動ステージ2と、(n-1)枚のウェハをウェット処理用キャリア1の上部まで押上げることのできる押上げ機3によって構成される。押上げ機3により(n-1)枚以下のウェハを押し上げ、その時に移動ステージ2をキャリア1のスロット番号「1」の溝が空くように移動させ、押上げ機3を下げてウェハを再収納する。空いたスロット番号「1」の溝にはダミーウェハ14を挿入する。【効果】パーティクル付着の多いスロット番号「1」のウェハをダミーウェハ14に置き換えるとによって、ウェット処理工程で製品ウェハに付着するパーティクル数を約4分の1にまで低減する。
請求項（抜粋）：
所定のピッチで配列された溝に半導体ウェハを収納したキャリアをウェット処理液中に浸す工程を備えた半導体ウェハの処理方法において、前記半導体ウェハの主表面と対向した前記キャリアの内側壁から最も近い位置にある溝に、ダミーウェハを挿入した状態で前記工程が施されることを特徴とする半導体ウェハの処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/68
H01L 21/304 341 C
, H01L 21/68 D
