半導体圧力センサとその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：廣澤勲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-365082
公開番号（公開出願番号）：特開平11-183287
出願日： 1997年12月19日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】簡単な構造で感度を上げることができ、強度も高い半導体圧力センサを提供する。【解決手段】シリコン等の半導体ダイアフラム12と、シリコンやガラス、セラミックス等の取付台16とを別体に設ける。半導体ダイアフラム12の表裏面にゲージ抵抗14を形成し、半導体ダイアフラム12と取付台16とを一体に接合する。また、半導体ダイアフラム12のゲージ抵抗24は、半導体ダイアフラム12の周縁部に、互いに端部が対向して半円状に形成され、表裏の各ゲージ抵抗24は互いに投影位置が重なるように形成する。

請求項（抜粋）：

半導体ダイアフラムと取付台とを別体に形成し、この半導体ダイアフラムの表裏にゲージ抵抗を形成し、上記半導体ダイアフラムと上記取付台とを一体に接合してなる半導体圧力センサ。

IPC (2件)：

G01L 9/04 101 , H01L 29/84

FI (2件)：

G01L 9/04 101 , H01L 29/84 B

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