特許
J-GLOBAL ID：200903005419178770
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-338637
公開番号（公開出願番号）：特開平11-177133
出願日： 1997年12月09日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 たとえ半導体発光素子に高電圧が印加されても、その高電圧をp形層とn形層の境界近傍や、尖った角部に電界を集中させないようにして破壊を防止し得る半導体発光素子を提供する。【解決手段】 発光層を形成すべく積層されるn形層3およびp形層5と、n形層3に電気的に接続して設けられるn側電極9と、p形層5に電気的に接続して設けられるp側電極8とからなり、電極の接続部、n形層、またはp形層のような発光層以外のところに高電圧を吸収し得る高抵抗層部が設けられている。
請求項（抜粋）：
発光層を形成すべく積層されるn形層およびp形層と、該n形層に電気的に接続して設けられるn側電極と、前記p形層に電気的に接続して設けられるp側電極とを備え、前記発光層以外のところに高電圧を吸収し得る高抵抗層部が設けられてなる半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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