特許

J-GLOBAL ID：200903005421321695

フリップチップセラミック基板

発明者： 三原 芳和
出願人/特許権者： 株式会社住友金属エレクトロデバイス
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-012998
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209328
出願日： 1997年01月27日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】 従来のフリップチップセラミック基板においては、内蔵コンデンサが信号用配線層、電源用ベタパターン、及び接地用ベタパターンより下の部分に形成されていたため、内蔵コンデンサと半導体素子との間の配線経路が長くなり、インダクタンス及び抵抗が大きくなって、有効にスイッチングノイズを低減することができなかった。【解決手段】 半導体素子搭載面20にフリップチップ用端子パッド15が形成されたフリップチップセラミック基板10において、半導体素子搭載面20のフリップチップ用端子パッド15の下方領域を除いた部分であって、信号用配線層12よりも半導体素子搭載面20に近い側に内蔵コンデンサ11を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体素子搭載面にフリップチップ用端子パッドが形成されたフリップチップセラミック基板において、前記半導体素子搭載面の前記フリップチップ用端子パッドの下方領域を除いた部分であって、信号用配線層よりも前記半導体素子搭載面に近い側に内蔵コンデンサが形成されていることを特徴とするフリップチップセラミック基板。

IPC (4件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/15 ,  H05K 3/46

FI (4件)：

H01L 23/12 B ,  H01L 21/60 311 S ,  H05K 3/46 Q ,  H01L 23/14 C