特許

J-GLOBAL ID：200903005423870963

半導体メモリ

発明者： 辰 巳 雄 一
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-129335
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338192
出願日： 1993年05月31日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：

【要約】【目的】 ビット線に対する過充電を防止することにより、十分な信頼性を得ることができる半導体メモリを提供する。【構成】 ビット線BL′の電位Vinを基準電位Vref に一致させる際に、ローアドレスのみを変化させることによりメモリセルの選択が行われた場合には、入力パルス信号STのみがオンとなって、トランジスタP5,P6のみをオンさせて小電流の充電を所定時間(パルス信号STのパルス幅に相当する時間)行い、カラムアドレスの変化を伴うメモリセルの選択が行われた場合には、入力パルス信号ST,ST1がオンとなって、トランジスタP5,P6,P8をオンさせて大電流の充電を所定時間行う。

請求項（抜粋）：

メモリセルアレイの中から任意のメモリセルを選択して当該メモリセルが記憶するセルデータをビット線上に出力するとともに、基準電位を与えるダミーデータをダミービット線上に出力し、前記記憶データと前記ダミーデータとをセンスアンプ回路で比較して、当該比較結果を記憶データとして出力する半導体メモリにおいて、前記センスアンプ回路が、ローアドレスのみを変化させることにより前記メモリセルの選択が行われた場合には、このビット線に対する小電流の充電を所定時間行い、カラムアドレスの変化を伴う前記メモリセルの選択が行われた場合には、このビット線に大電流の充電を前記所定時間行う充電回路を備えたことを特徴とする半導体メモリ。