特許

J-GLOBAL ID：200903005431539842

半導体レーザ素子

発明者： 向井 厚史
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (3件)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛 ,  重松 万里
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-144765
公開番号（公開出願番号）：特開2005-327908
出願日： 2004年05月14日
公開日（公表日）： 2005年11月24日
要約：

【課題】 650nm波長帯で発振する、温度特性がよく信頼性の高い半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 活性層およびクラッド層がAlGaInP系材料からなる半導体レーザ素子で、活性層42のp側に配置された光導波層43に、不純物の活性層への拡散を抑制するための引張歪層15を設ける。不純物の拡散は引張歪層15により抑制されるので、クラッド層5には、不純物の拡散を抑制するためのノンドープ層を設ける必要がない。このため、クラッド層5は、任意の濃度プロファイルが得られるように自由にドーピングすることができる。あるいは、拡散の抑制効果を強めるためにクラッド層5にノンドープ層を設けるとしてもノンドープ層は薄くてよいので、全体として素子に含まれるノンドープ層の総厚を小さくして素子抵抗を低減し、発熱を抑え、閾値電流の上昇を防ぐことができる。【選択図】 図2

請求項１：

活性層およびクラッド層がAlGaInP系材料からなる半導体レーザ素子であって、 前記活性層の一方の側に配置された光導波層が歪層を備えていることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S5/20 ,  H01S5/343

FI (2件)：

H01S5/20 610 ,  H01S5/343

Fターム (7件)：

5F173AA05 ,  5F173AF48 ,  5F173AF53 ,  5F173AG05 ,  5F173AG12 ,  5F173AH08 ,  5F173AH47

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-009638   出願人：ソニー株式会社