特許

J-GLOBAL ID：200903005435107742

半導体装置

発明者： 藪 洋彰 ,  甲上 歳浩 ,  荒井 勝也
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-239823
公開番号（公開出願番号）：特開2009-071173
出願日： 2007年09月14日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：

【課題】十分な放電能力を有するESD保護素子を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】基板130上にESD保護素子100を備えた半導体装置であって、ESD保護素子100は、基板130内に形成されたp型ウェル領域101と、p型ウェル領域101に形成された素子分離領域109と、素子分離領域109で取り囲まれた活性領域140上に形成されたn型ESD保護トランジスタ120と、p型ウェル領域101上に形成され、素子分離領域109を挟んで活性領域140を取り囲むp型ガードリング領域106と、p型ウェル領域101上に形成され、活性領域140とp型ガードリング領域106との間に形成されたn型カソード領域107とを備えている。n型カソード領域107と活性領域140との間には素子分離領域109が形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上にESD保護素子を備えた半導体装置であって、 前記ESD保護素子は、 前記基板内に形成された第1導電型のウェル領域と、 前記ウェル領域内に形成された素子分離領域と、

IPC (3件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06

FI (3件)：

H01L27/04 H ,  H01L27/04 A ,  H01L27/06 311C

Fターム (26件)：

5F038BH04 ,  5F038BH05 ,  5F038BH06 ,  5F038BH07 ,  5F038BH09 ,  5F038BH13 ,  5F038CA02 ,  5F038CA07 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ20 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB02 ,  5F048BC02 ,  5F048BE09 ,  5F048BF16 ,  5F048BF18 ,  5F048BG11 ,  5F048BH05 ,  5F048CC01 ,  5F048CC06 ,  5F048CC08 ,  5F048CC09 ,  5F048CC11 ,  5F048CC13 ,  5F048CC18

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-075179   出願人：日本電気株式会社