特許
J-GLOBAL ID:200903005438307254
半導体用高純度接着剤
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-347048
公開番号(公開出願番号):特開2001-164231
出願日: 1999年12月07日
公開日(公表日): 2001年06月19日
要約:
【要約】【課題】接着性、安定性及び作業性に優れるとともに、高密度半導体装置の耐湿性を大幅に向上できる高信頼性の接着剤を提供する。【解決手段】本発明は、高純度ヒュームドシリカ(平均粒径5〜100nm、水溶性塩素量25ppm以下の特性を有する燃焼製法超微粒子シリカ)を0.1〜20重量%含有する半導体用接着剤である。又、平均粒径5μm以下、CV値60%以下、抽出水電気伝導度10μS/cm以下の特性を有する高純度球状シリカを5〜70重量%含有することが好ましい。ベースとなる接着剤が柔軟性接着剤、シリコーン系・柔軟エポキシ系・熱可塑エラストマー系の柔軟性接着剤より選択される少なくとも1種であることが好ましい。
請求項(抜粋):
平均粒径5〜100nm、水溶性塩素量25ppm以下の特性を有する燃焼製法超微粒子シリカを0.1〜20重量%含有する半導体用接着剤。
IPC (7件):
C09J201/00
, C09J 11/04
, C09J121/00
, C09J163/00
, C09J183/04
, H01L 23/29
, H01L 23/31
FI (6件):
C09J201/00
, C09J 11/04
, C09J121/00
, C09J163/00
, C09J183/04
, H01L 23/30 R
Fターム (19件):
4J040CA001
, 4J040EC001
, 4J040ED001
, 4J040EF001
, 4J040EG001
, 4J040EK031
, 4J040HA306
, 4J040KA42
, 4J040LA09
, 4J040NA20
, 4M109AA01
, 4M109BA04
, 4M109CA05
, 4M109EA02
, 4M109EA10
, 4M109EA12
, 4M109EB13
, 4M109EC01
, 4M109EC02
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