特許
J-GLOBAL ID:200903005439602446
撮像装置、放射線撮像装置及び放射線撮像システム
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
山下 穣平
, 志村 博
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-381372
公開番号(公開出願番号):特開2004-179645
出願日: 2003年11月11日
公開日(公表日): 2004年06月24日
要約:
【課題】 欠陥部分のレーザーリペアによる加工を安定して行う。【解決手段】 基板上に、入射する電磁波を電気信号に変換する半導体変換素子と半導体変換素子に接続されたスイッチ素子とが対となる複数の画素が2次元に配列され、一方向に配列された複数の前記スイッチ素子に共通接続された駆動配線201と、一方向とは異なる方向に配列された複数のスイッチ素子に共通接続された信号配線203とを有し、スイッチ素子は第一の半導体層を含み、半導体変換素子は前記スイッチ素子の形成後に形成され、且つ前記第一の半導体層の形成後に形成された第二の半導体層を含む、撮像装置であって、半導体変換素子の電極9は、駆動配線201、スイッチ素子の電極及び信号配線203のうちの二つが互いに重ならない領域において、駆動配線201上の少なくとも一部及びスイッチ素子の電極上の少なくとも一部を除くように形成されている。【選択図】 図4
請求項(抜粋):
基板上に、入射する電磁波を電気信号に変換する半導体変換素子と前記半導体変換素子に接続されたスイッチ素子とが対となる複数の画素が2次元に配列され、一方向に配列された複数の前記スイッチ素子に共通接続された駆動配線と、前記一方向とは異なる方向に配列された複数の前記スイッチ素子に共通接続された信号配線とを有し、
前記スイッチ素子は第一の半導体層を含み、前記半導体変換素子は前記スイッチ素子の形成後に形成され、且つ前記第一の半導体層の形成後に形成された第二の半導体層を含む、
撮像装置であって、
前記半導体変換素子の電極は、前記駆動配線、前記スイッチ素子の電極及び前記信号配線のうちの二つが互いに重ならない領域において、少なくとも、前記駆動配線上の一部及び前記スイッチ素子の電極上の一部を除くように形成されていることを特徴とする撮像装置。
IPC (9件):
H01L27/146
, G01T1/20
, G01T1/24
, H01L27/14
, H01L29/786
, H01L31/02
, H01S3/00
, H04N5/32
, H04N5/335
FI (10件):
H01L27/14 C
, G01T1/20 E
, G01T1/20 G
, G01T1/24
, H01S3/00 B
, H04N5/32
, H04N5/335 E
, H01L31/02 A
, H01L27/14 K
, H01L29/78 613Z
Fターム (71件):
2G088EE01
, 2G088EE30
, 2G088FF02
, 2G088GG19
, 2G088GG20
, 2G088GG21
, 2G088JJ05
, 2G088JJ09
, 2G088JJ31
, 2G088JJ33
, 2G088JJ37
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA05
, 4M118CA05
, 4M118CA07
, 4M118CA32
, 4M118CA40
, 4M118CB05
, 4M118CB06
, 4M118CB11
, 4M118CB14
, 4M118EA01
, 4M118EA05
, 4M118FB09
, 4M118FB13
, 4M118FB16
, 4M118GA10
, 5C024AX12
, 5C024CY47
, 5C024GX01
, 5C024GY31
, 5F072YY08
, 5F088BA18
, 5F088BB03
, 5F088BB07
, 5F088FA09
, 5F088KA08
, 5F088LA07
, 5F110AA26
, 5F110BB10
, 5F110CC07
, 5F110DD02
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE14
, 5F110EE44
, 5F110FF03
, 5F110FF29
, 5F110GG02
, 5F110GG15
, 5F110GG25
, 5F110GG44
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK09
, 5F110HK16
, 5F110HK22
, 5F110HL04
, 5F110HL06
, 5F110HL11
, 5F110HL23
, 5F110NN02
, 5F110NN14
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN33
, 5F110NN35
, 5F110NN71
, 5F110QQ09
, 5F110QQ12
引用特許:
出願人引用 (3件)
-
米国特許第5,498,880号明細書
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米国特許第5,619,033号明細書
-
米国特許第6,332,016号明細書
審査官引用 (4件)