特許

J-GLOBAL ID：200903005448816114

誘電体層形成のための方法及び装置

発明者： ナルワンカール, プラヴィン, ケー. ,  サヒン, タルガット ,  ユルダール, ランダル, エス. ,  ヴェラガ, アンキニーヅ ,  リュー, パトリシア
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-553633
公開番号（公開出願番号）：特表2002-517914
出願日： 1999年06月11日
公開日（公表日）： 2002年06月18日
要約：

【要約】【課題】 誘電体層を形成及びアニールするための方法及び装置を提供する。【解決手段】 本発明によれば、第1のチャンバに活性原子種が生成される。次いで、基板上に形成された誘電体層が、第1のチャンバから離れた位置にある第2のチャンバにおいて活性原子種に曝露される。

請求項（抜粋）：

基板上に誘電体層を形成するステップと、 第1のチャンバに活性原子種を生成するステップと、 前記誘電体層を前記活性原子種に曝露しつつ、前記第1のチャンバとは別の位置にある第2のチャンバに基板を配置させて、前記誘電体層を前記活性原子種に曝露するステップとを備える誘電体層のアニール方法。

IPC (7件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/56 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 21/316 P ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/56 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

Fターム (47件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA24 ,  4K030BA01 ,  4K030BA17 ,  4K030BA42 ,  4K030BA44 ,  4K030BA58 ,  4K030CA04 ,  4K030DA08 ,  4K030FA03 ,  4K030JA10 ,  4K030LA01 ,  4K030LA15 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F083AD42 ,  5F083AD60 ,  5F083AD62 ,  5F083GA06 ,  5F083GA25 ,  5F083JA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA19 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR15 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33