特許

J-GLOBAL ID：200903005460094191

露光方法および露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法

発明者： 安田 雅彦
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-052553
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244176
出願日： 2000年02月28日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】 ショット領域の配列特性に関する誤差パラメータやベースライン量等の基板の位置決めに関する情報を高精度に検出する。【解決手段】 マスクのパターンを感光剤が塗布された基板上に露光する。感光剤上に、マスクに形成されたマークを露光し、所定の情報に基づいて基板を計測系の計測位置に位置決めし、露光されたマークの潜像を計測することにより、計測前に位置決めされた基板の位置決め誤差を求め、位置決め誤差に基づき前記所定の情報を補正する。

請求項（抜粋）：

マスクのパターンを感光剤が塗布された基板上に露光する露光方法であって、前記感光剤上に、前記マスクに形成されたマークを露光し、所定の情報に基づいて前記基板を計測系の計測位置に位置決めし、露光された前記マークの潜像を計測することにより、前記計測前に位置決めされた前記基板の位置決め誤差を求め、前記位置決め誤差に基づき前記所定の情報を補正することを特徴とする露光方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 9/00

FI (2件)：

G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 521

Fターム (17件)：

5F046BA03 ,  5F046CC01 ,  5F046EA02 ,  5F046EA26 ,  5F046EB01 ,  5F046EB02 ,  5F046EB03 ,  5F046EB05 ,  5F046ED02 ,  5F046FA02 ,  5F046FA03 ,  5F046FA16 ,  5F046FA17 ,  5F046FA20 ,  5F046FC04 ,  5F046FC06 ,  5F046FC08