シリコン基板における陽極化成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-149511
公開番号（公開出願番号）：特開平10-340885
出願日： 1997年06月06日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【課題】電流の流れを制御して、無効電流の存在による電圧降下を抑制し、効率的に選択ポーラス化(選択多孔質化)でき、多孔質化される範囲を設計領域に抑制することができるシリコン基板の陽極化成方法を提供する。【解決手段】p型単結晶シリコン基板(シリコン基板)2には埋め込み層となるp型シリコン層3が形成され、シリコン基板2の上面にn型シリコン層4が形成されている。n型シリコン層4には開口部形成用のp型シリコン層5が形成され、n型シリコン層4の上面に金属保護膜14が形成されている。シリコン基板2は、その裏面側には酸化膜17を介して電極層18が形成されている。p型シリコン層3と相対する部分には接続用開口部17aを介して、電極層18とシリコン基板2とが電気的に接続されている。陽極化成時には、電極層18を直流電源に接続し、対向電極をマイナス端子に接続して行う。

請求項（抜粋）：

p型単結晶シリコン基板(2)の表面側の所定領域にp型シリコン層(3)が形成され、前記p型単結晶シリコン基板(2)の上面にn型シリコン層(4)が形成されて、同n型シリコン層(4)下に前記p型シリコン層(3)が埋め込み層とされ、前記n型シリコン層(4)には開口部形成用のp型シリコン層(5)が形成され、n型シリコン層(4)の上面には、前記開口部形成用のp型シリコン層(5)の表面が露出された状態で、保護膜(14)が形成され、前記各p型シリコン層(3,5)を多孔質シリコン層に変化させるべく前記p型単結晶シリコン基板(2)を陽極化成する方法であって、前記p型単結晶シリコン基板(2)は、その裏面側には絶縁膜(17)を介して電極層(18)が形成され、前記絶縁膜(17)において、前記少なくとも埋め込み層であるp型シリコン層(3)と相対する部分には接続用開口部(17a)を介して、前記電極層(18)と前記p型単結晶シリコン基板(2)とが電気的に接続されており、前記p型単結晶シリコン基板(2)を直流電源(V)のプラス端子に対して前記電極層(18)を介して電気的に接続し、p型単結晶シリコン基板(2)に対向して設けた対向電極(11,14)を前記直流電源(V)のマイナス端子に接続してHF系溶液内で陽極化成することを特徴とするシリコン基板における陽極化成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3063 , G01P 15/08

FI (2件)：

H01L 21/306 L , G01P 15/08 Z

引用特許：

審査官引用 (5件)

表面型の加速度センサ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-243127 出願人：株式会社東海理化電機製作所
半導体センサの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-280076 出願人：日産自動車株式会社
特開昭61-295636

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