特許

J-GLOBAL ID：200903005466296055

シリコン基板の熱処理方法

発明者： 佐 俣 秀 一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-071688
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275435
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 H2 ガス雰囲気で熱処理を行ってシリコン基板表面の高品質化を図ることができ、しかも後に積層される酸化膜の劣化を引き起こすことがないようにしたものを提供する。【構成】 熱処理炉内でシリコン基板をH2 ガス雰囲気中で1100°C以上の温度で熱処理してシリコン基板表面の格子間酸素濃度を低下させるのに際し、前記H2 ガスにシリコン基板上にシリコンが析出しない濃度のシリコン含有分子を混合して熱処理するようにした。

請求項（抜粋）：

熱処理炉内でシリコン基板をH2 ガス雰囲気中で1100°C以上の温度で熱処理してシリコン基板表面の格子間酸素濃度を低下させるのに際し、前記H2 ガスにシリコン基板上にシリコンが析出しない濃度のシリコン含有分子を混合して熱処理するシリコン基板の熱処理方法。