特許
J-GLOBAL ID：200903005466695227
窒化物系化合物半導体光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-034576
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232681
出願日： 1996年02月22日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】窒化物系化合物半導体からなる光素子の製造において、光導波路を安全且つ制御性良く形成し、キャリア及び光を有効に活性層に閉じ込められる光素子を作製する。【解決手段】側方に電流狭窄層19が形成されるクラッド層18中にエッチング停止層7を新たに形成する。エッチング停止層7は、クラッド層よりバンドギャップが大きく且つキャリア濃度が異なるものとする。この場合、エッチング停止層中のキャリア濃度は、これがp型クラッド層8中のときは高く又n型クラッド層4中のときは低くする。エッチング停止層の組成は、(AlxGa1-x)InyN(但し、0≦x≦1,0≦y≦1)とする。
請求項（抜粋）：
基板上に、第1のクラッド層,活性層および第2のクラッド層を含む窒化物半導体からなるダブルへテロ構造において、前記第2のクラッド層よりも禁制帯幅が大きく、キャリア濃度が異なるエッチング停止層が前記第2のクラッド層中に形成され、光エッチング法により前記エッチング停止層を用いて光導波路型構造を形成することを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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