特許
J-GLOBAL ID：200903005467890570
パターン形成材料,パターン形成方法,及びそれを用いた機能性素子形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-053729
公開番号（公開出願番号）：特開平6-266099
出願日： 1993年03月15日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 高分子レジストを用いての微細パターン形成において,高分子の分子構造に基づくパターン表面に生じる,微細なパターン表面凹凸を抑制すること。【構成】 高分子レジストの基底樹脂の種類,重量平均分子量,多分散度,及び重量構成比を制御することによって,現像処理後にパターン表面に生ずる微細なパターン表面凹凸を抑制する。【効果】 高分子レジストの分子量特性を制御したために,パターン形成後の表面に生じる,分子形状に基づく微細なパターン表面凹凸の発生が抑えられる。
請求項（抜粋）：
パターンを構成する基底樹脂からなるパターン形成材料,或いはパターンを構成する基底樹脂及びエネルギ-線に感応してエネルギー線照射後に行う現像処理時での基底樹脂の溶解性を変化させる少なくとも一種類の感応性化合物からなるパターン形成材料,或いはパターンを構成する基底樹脂及びエネルギー線照射後に行う現像処理時での基底樹脂の溶解性を変化させる少なくとも一種類の化合物及びエネルギー線照射時に酸又は塩基を発生する少なくとも一種類の化合物からなるパターン形成材料において,上記基底樹脂は,該基底樹脂の重量平均分子量以上の分子量を有する分子の重量割合と,数平均分子量以下の分子量を有する分子の重量割合の比を制御したことを特徴とするパターン形成材料。
IPC (4件)：
G03F 7/004 503
, G03F 7/038 505
, G03F 7/039 501
, H01L 21/027
