特許
J-GLOBAL ID：200903005470608266
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-318659
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124638
出願日： 2000年10月19日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：
【要約】【課題】 半導体集積回路に形成されたパッドに高周波信号を通過させる場合でも、パッドに存在する寄生容量の影響をなくすことができ、パッドを通過する高周波信号の減衰を防止することができる半導体装置を提供する。【解決手段】 パッド61の寄生容量を利用して、寄生容量とアルミ金属で作られたコイル63とにより、パッドを通過させる高周波信号の周波数で高インピーダンスとなるような共振回路を構成し、高周波信号がパッドを通過した場合に、その高周波信号に対して、インピーダンスを上げることにより減衰を抑え、また、上記の共振回路を、パッド61に存在する寄生容量値が小さいこと、寄生容量およびコイル63にばらつきがあることを考慮し、外部電圧に応じて容量が可変可能な可変容量ダイオード66を接続して、共振周波数が可変可能なように構成することにより、パッドを通過させる高周波信号の任意周波数に共振回路の共振周波数を合わせて、パッドを通過する高周波信号に対する減衰抑制を任意周波数で可能とする。
請求項（抜粋）：
半導体集積回路内でアルミ配線と外部とを電気的に接続するためにパッドが形成され、そのパッドに高周波信号が通過するよう構成された半導体装置において、前記パッドと前記半導体集積回路のベースとなる半導体基板との間に存在する寄生容量に並列接続され、前記パッドと前記半導体基板との間に位置するように、金属コイルを前記パッドに一体化させて形成し、前記寄生容量とコイルとで、前記高周波信号に対応する共振周波数を有する共振回路を構成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 27/04 E
, H01L 27/04 H
, H01L 27/04 A
5F038AC20
, 5F038AZ04
, 5F038BE07
, 5F038BH03
, 5F038BH11
, 5F038CA02
, 5F038DF06
, 5F038EZ20
