特許

J-GLOBAL ID：200903005475056636

配向性金属薄膜の成膜方法及び配向性金属薄膜を有する機能素子

発明者： 田中 均洋
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-151632
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332514
出願日： 2000年05月23日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】 所定の方位、例えば(100)方位に優先配向した配向性金属薄膜を成膜する方法、特に、キャパシタの強誘電体薄膜の下地層として好適な配向性Pt薄膜又はIr薄膜等の配向性金属薄膜を成膜する方法であって、工程数の少ない方法を提供する。【解決手段】 本配向性金属薄膜の成膜方法は、配向性を有する酸化物層14を半導体基板12上に成膜する酸化物成膜工程と、配向性を有する酸化物層を表面に有する半導体基板を加熱しつつ、酸素を含有する不活性ガスに電界を印加して発生させたプラズマを用い、金属ターゲットをスパッタすることによりクラスタを生成させて、配向性を有する酸化物層上に配向性金属薄膜16を成膜する金属薄膜成膜工程とを有し、金属薄膜成膜工程の後に熱処理による還元処理を要することなく、配向性金属薄膜を成膜する。

請求項（抜粋）：

配向性を有する酸化物層を半導体基板上に成膜する酸化物成膜工程と、酸化物成膜工程を経た半導体基板を加熱しつつ、酸素を含有する不活性ガスに電界を印加して発生させたプラズマを用い、金属ターゲットをスパッタすることによりクラスタを生成させて、配向性を有する酸化物層上に配向性金属薄膜を成膜する金属薄膜成膜工程とを有し、金属薄膜成膜工程の後に熱処理を施すことなく、配向性金属薄膜を成膜することを特徴とする配向性金属薄膜の成膜方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 ,  C30B 29/02 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/105

FI (4件)：

H01L 21/285 S ,  C30B 29/02 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 444 C

Fターム (24件)：

4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BA01 ,  4G077DA11 ,  4G077EF02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB37 ,  4M104DD41 ,  4M104EE14 ,  4M104GG16 ,  5F038AC05 ,  5F038AC14 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F083FR01 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33