特許

J-GLOBAL ID：200903005481215932

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 小島 章弘 ,  大岩 徳久 ,  魚住 宜弘 ,  神保 定之 ,  灘原 壮一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-305147
公開番号（公開出願番号）：特開2003-109955
出願日： 2001年10月01日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】銅(Cu)を配線の材料に用いる場合、銅(Cu)は酸化の進行が速く、配線抵抗値、及び配線間の接続抵抗値の増加、また、配線構造の信頼性の低下を招くという問題があった。【解決手段】銅(Cu)配線層104の表層部に、酸素プラズマ105を供給して、Cu2O結合よりも、CuO結合が多い状態の酸化層106(例:CuO結合の占める割合が50%以上)を形成し、銅(Cu)配線層104の酸化の進行を抑制する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜内に形成された銅膜とを有し、前記銅膜の表層部には、銅の酸化を抑制する、Cu2O結合よりも、CuO結合を多く含む酸化層が形成されていることを特徴とする半導体装置。

Fターム (39件)：

5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH35 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ35 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK35 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ89 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033WW02 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX20