特許

J-GLOBAL ID：200903005482978743

半導体装置の配線構造

発明者： 浅井 孝祐 ,  飛松 博 ,  川田 宏幸 ,  澤田 真人
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-165013
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005370
出願日： 2003年06月10日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】任意の位置において、配線内のボイドの発生を防止することができる半導体装置の配線構造を提供する。【解決手段】配線に、配線本体11に連続するダミー配線15を設け、ダミー配線15に配線本体11より高い引張り応力が発生している応力集中部21を設ける。この応力集中部21には、その近傍に高圧プラズマCVD法で形成した絶縁膜17を設け、この絶縁膜17により応力集中部21に引張り応力を発生させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

配線に、前記配線の他の部分より高い引張り応力が発生している応力集中部を局部的に設けた、半導体装置の配線構造。

IPC (2件)：

H01L21/3205 ,  H01L21/768

FI (2件)：

H01L21/88 A ,  H01L21/90 B

Fターム (46件)：

5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM21 ,  5F033NN05 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033TT07 ,  5F033UU01 ,  5F033VV01 ,  5F033WW05 ,  5F033XX06 ,  5F033XX19 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28