特許

J-GLOBAL ID：200903005483427783

透明導電性膜の表面処理方法、かかる方法により表面改質された透明導電性膜、及び表面改質透明導電性膜を有する電荷注入型発光素子

発明者： 榊原 剛
出願人/特許権者： 榊原 剛 ,  森六株式会社
代理人 (1件)： 高石 橘馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-046668
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249379
出願日： 2002年02月22日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】【課題】 透明導電性膜の電荷注入効率を選択的に変化させ、もって所望の発光パターンを付与する表面処理方法、かかる方法により表面改質され、高輝度の発光領域と非発光領域とを選択的に有する透明導電性膜及び電荷注入型発光素子を提供する。【解決手段】 本発明の透明導電性膜の表面処理方法は、透明導電性膜にプラズマ中のイオンを照射した後、輝度消失のしきい値エネルギー以上の電子線を選択的に照射することにより、透明導電性膜の電荷注入効率を選択的に変化させ、もって所望の発光パターンを付与することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

透明導電性膜にプラズマ中のイオンを照射した後、輝度消失のしきい値エネルギー以上の電子線を選択的に照射することにより、前記透明導電性膜の電荷注入効率を選択的に変化させ、もって所望の発光パターンを付与することを特徴とする透明導電性膜の表面処理方法。

IPC (3件)：

H05B 33/26 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14

FI (3件)：

H05B 33/26 Z ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A

Fターム (6件)：

3K007AB17 ,  3K007AB18 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  3K007FA03