基板研磨方法、基板研磨装置、膜厚測定方法及び膜厚測定装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日比谷征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-206413
公開番号（公開出願番号）：特開2002-018710
出願日： 2000年07月07日
公開日（公表日）： 2002年01月22日
要約：

【要約】【課題】研磨を継続した状態でも膜厚測定精度を維持する。【解決手段】研磨を継続又は中断して基板Sの謨厚を測定する膜厚測定手段8と、膜厚測定手段8により測定した膜厚値に基づいて研磨条件を制御する制御手段11とを備える。膜厚測定手段8は光束を膜層に照射する光源と、膜層において発生した反射光又は透過光を波長別に受光する複数の受光素子と、受光素子により検出した信号から膜厚値の複数解を演算するホストコンピュータ10とを有する。ホストコンピュータ10は、膜厚値の複数解から互いに値が最も近い解の組合わせを選択してその平均値を求め、互いに値が最も近い解の組合わせの分散度に応じて信号の補正を行い、互いに値が最も近い解の組合わせの分散度を再び求め、所定になったときの値を膜厚値とする。

請求項（抜粋）：

研磨を継続又は中断して基板の膜層の膜厚を測定し、測定した膜厚値に基づいて研磨条件を制御して、前記膜層を研磨する基板研磨方法であって、光源から光束を前記膜層に照射して前記膜層において発生した反射光又は透過光を複数の受光素子により波長別に受光し、これらの受光素子で検出した検出信号から演算により膜厚値の複数解を求め、該複数解から互いに値が最も近い解の組合わせを選択しその平均値を求め、前記互いに値が最も近い解の組合わせの分散度に応じて前記検出信号の補正を行い、前記互いに値が最も近い解の組合わせの分散度を再び求め、所定になったときの値を膜厚値とすることを特徴とする基板研磨方法。

IPC (4件)：

B24B 37/04 , G01B 11/06 , G01B 11/06 101 , H01L 21/304 622

FI (4件)：

B24B 37/04 K , G01B 11/06 G , G01B 11/06 101 G , H01L 21/304 622 S

Fターム (52件)：

2F065AA03 , 2F065AA06 , 2F065AA30 , 2F065AA52 , 2F065BB02 , 2F065BB03 , 2F065BB16 , 2F065BB27 , 2F065CC19 , 2F065DD04 , 2F065EE00 , 2F065FF10 , 2F065FF51 , 2F065FF66 , 2F065GG08 , 2F065GG24 , 2F065HH13 , 2F065HH15 , 2F065JJ01 , 2F065JJ09 , 2F065JJ26 , 2F065LL00 , 2F065LL02 , 2F065LL04 , 2F065LL12 , 2F065LL46 , 2F065LL59 , 2F065LL67 , 2F065NN02 , 2F065NN20 , 2F065PP12 , 2F065PP13 , 2F065QQ01 , 2F065QQ23 , 2F065QQ24 , 2F065QQ25 , 2F065QQ28 , 2F065QQ41 , 2F065QQ42 , 2F065TT06 , 2F065TT07 , 3C058AC02 , 3C058AC04 , 3C058BA01 , 3C058BA02 , 3C058BA07 , 3C058BA09 , 3C058BB08 , 3C058BB09 , 3C058CB01 , 3C058DA12 , 3C058DA17

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