特許
J-GLOBAL ID：200903005512383537
電界放出型電子源及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-203874
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050205
出願日： 1996年08月01日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 素子信頼性に優れた安定で且つ高性能な電界放出型電子源を提供する。【解決手段】 p型のシリコン結晶よりなるシリコン基板11の上にn型のエミッタ領域12が形成されており、エミッタ領域12の上には所定の間隔をおいて円形断面を持つタワー形状の複数の陰極13が形成されている。各陰極13はn型の下層部13aとp型の上層部13bとから構成されており、下層部13aと上層部13bとの間にはpn接合が形成されている。シリコン基板11の上における各陰極13の周辺部には、絶縁膜14を介して、陰極13を中心とする微小な開口部を有する引き出し電極15が形成されている。引き出し電極15に電圧を印加すると、下層部13aと上層部13bとの間にpn接合によって形成される空乏層が広がって抵抗が大きくなるので、陰極13からの電子の放出は安定する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板上の所定領域に形成された複数の導電性領域と、前記複数の導電性領域の上にそれぞれ形成された柱状の複数の陰極と、前記複数の導電性領域のそれぞれの上に絶縁膜を介して形成されており前記各陰極の周囲に開口部を有する引き出し電極とを備えた電界放出型電子源において、前記各陰極は、互いに異なる導電型を持つことによりpn接合をしている上層部及び下層部を有しており、前記各陰極の上層部は前記導電性領域と電気的に分離されていることを特徴とする電界放出型電子源。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 C
, H01J 9/02 C
