特許

J-GLOBAL ID：200903005514210044

太陽電池の製造方法

発明者： 寺島 薫
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-228091
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068131
出願日： 1997年08月25日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 太陽電池基板上に透明導電膜、非晶質シリコン(a-Si)膜、金属電極膜を積層した太陽電池は、起電力を高めるために接合面を凹凸にして乱反射を生じさせ、光の閉じ込めを計る必要がある。従来、透明導電膜であるSnO2膜を成膜条件により粗面にする方法、太陽電池基板面をサンドブラストして粗面にする方法等があったが、前者は高温でCVD法を行うため製造費が上がり、後者は凹凸形状が鋭角的で利用可能な光の周波数範囲が狭くなる等の問題があった。【解決手段】 太陽電池基板表面をサンドブラストして粗面化した後、強酸でエッチングして凹凸の尖端を丸める。この面にITO膜をスパッタリングして透明導電膜とし、さらにa-Si膜と金属電極膜を積層すれば、接合部が凹凸面であるため光閉じ込め性に優れた太陽電池素子が得られる。サンドブラストによる表面粗さのばらつきもエッチングによって緩和される。

請求項（抜粋）：

太陽電池基板上に透明導電膜、非晶質シリコン膜および金属電極膜を積層してなる太陽電池の製造方法において、前記太陽電池基板の表面をサンドブラストし、その表面を選択的な凹凸面を形成するようにエッチングすることにより拡散反射面を形成してなることを特徴とした太陽電池の製造方法。