特許
J-GLOBAL ID：200903005522702967
高周波半導体装置のパッケージ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-052944
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240483
出願日： 1994年02月25日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】 スルーホールのもつインダクタンスによって生じるインピーダンスの不整合をなくし、良好な周波数特性が得られる高周波半導体装置のパッケージを提供する。【構成】 表面に形成された接地パターン2およびこの接地パターン2との間に隙間Sを有した信号線路3とによってコプレーナ線路が形成され、かつ隙間Sより薄い板厚を有した基板1を積層することにより形成され、基板1各々は、最上段の基板1の接地パターン2から最下段の基板1の接地パターン2までをスルーホール4により電気的に接続され、かつ最上段の基板1の信号線路3から最下段の基板1の信号線路3までをスルーホール5により電気的に接続された高周波半導体装置のパッケージであり、最上段の基板1に高周波集積回路6が電気的に接続されている。
請求項（抜粋）：
矩形状の基板を多段に積層することにより形成され、最上段の基板の表面に集積回路が設けられた高周波半導体装置のパッケージであって、前記基板は、少なくとも表面側に形成された接地パターンと、前記接地パターンを裏面側と電気的に接続する第一のスルーホール部と、前記接地パターンと同一面に形成され、かつその接地パターンとの間に隙間を有した信号線路と、前記信号線路を裏面側と電気的に接続する第二のスルーホール部とを備え、かつ前記信号線路と前記接地パターンとの隙間より薄い板厚を有したものであり、前記基板の各々は、最上段の基板の接地パターンから最下段の基板の接地パターンまでを前記第一のスルーホール部により電気的に接続され、かつ最上段の基板の信号線路から最下段の基板の信号線路までを前記第二のスルーホール部により電気的に接続されており、前記最上段の基板の信号線路および接地パターンにはそれぞれ前記集積回路が電気的に接続されていることを特徴とする高周波半導体装置のパッケージ。
IPC (2件)：
H01L 23/12 301
, H01L 23/12
