特許
J-GLOBAL ID:200903005524517172

金属薄膜層が形成された接続用導体内蔵の両面板製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-081839
公開番号(公開出願番号):特開2002-280692
出願日: 2001年03月22日
公開日(公表日): 2002年09月27日
要約:
【要約】【課題】精度に優れ、強度に優れ、接続信頼性に優れ、かつ必要な箇所のみの接続用導体が内蔵された両面基板を効率よく製造する方法を提供すること。【解決手段】少なくとも絶縁樹脂層と接続用導体からなる基板であって、その絶縁樹脂層が真空成膜法に耐えうる有機絶縁樹脂組成物からなり、かつ、少なくともその接続用導体の側面を被覆している接続用導体内蔵基板と、導電性およびまたは絶縁性を有する基材の上に、接続用導体を形成する工程、接続用導体を有機絶縁樹脂組成物に埋設する工程、接続用導体を露出させる工程、接続用導体を露出させた面に、真空成膜法にて金属薄膜層を形成する工程を備える接続導体内蔵両面基板を製造する方法。
請求項(抜粋):
少なくとも絶縁樹脂層と接続用導体からなる基板であって、その絶縁樹脂層が真空成膜法に耐えうる有機絶縁樹脂組成物からなり、かつ、少なくともその接続用導体の側面を被覆している接続用導体内蔵基板。
IPC (2件):
H05K 1/11 ,  H05K 3/40
FI (2件):
H05K 1/11 N ,  H05K 3/40 K
Fターム (13件):
5E317AA24 ,  5E317BB01 ,  5E317BB02 ,  5E317BB03 ,  5E317BB12 ,  5E317CC31 ,  5E317CC44 ,  5E317CC52 ,  5E317CD01 ,  5E317CD25 ,  5E317GG11 ,  5E317GG14 ,  5E317GG16
引用特許:
審査官引用 (2件)

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