マイクロエレクトロニック回路構造及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富村潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-129718
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334177
出願日： 1994年05月18日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 10nmの範囲の構造微細度で製造し得るマイクロエレクトロニック回路構造及びその製造方法を提供する。【構成】互いに隣接して配置された半導体層11と誘電体層12とを備え、誘電体層12は半導体層11との境界面の近くに、半導体層11内に局部的な半導体表面電位の移動15を生ぜしめる局部的に限定された電荷分布14を有する。

請求項（抜粋）：

互いに隣接して配置された少なくとも1つの半導体層と誘電体層とを備え、その誘電体層は、前記半導体層との境界面の近くに、前記半導体層内に局部的な半導体表面電位の移動を生ぜしめる局部的に限定された電荷分布を有することを特徴とするマイクロエレクトロニック回路構造。

IPC (2件)：

H01L 29/784 , H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 21/265 W , H01L 29/78 311 G

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平2-064993
特開昭51-041973
特開昭53-071575

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